Моя заявка (0)

IPN50R3K0CEATMA1, Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

IPN50R3K0CEATMA1, Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002233791
Артикул
IPN50R3K0CEATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
6.5 mm
Серия
CoolMOS CE
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 680 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина6.5 mm
СерияCoolMOS CE
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
Высота1.6 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.5 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада49 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокSOT-223-4
Maximum Drain Source Voltage500 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора4.3 nC
Время нарастания5.8 ns
Maximum Continuous Drain Current1.7 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности5 W
Другие названия товара №IPN50R3K0CE SP001424878
Id - непрерывный ток утечки1.7 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.02 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения23 ns
Типичное время задержки при включении7.3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация