IPN50R2K0CEATMA1, Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002233845
- Артикул
- IPN50R2K0CEATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 6 nC
- V(DS)
- 550 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 5 W
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 840 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей.
Технические параметры
| Q(g) | 6 nC |
| V(DS) | 550 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 5 W |
| Package | SOT-223 |
| Series: | CoolMOS CE |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 38 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | CoolMOS CE |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 2000 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 3.6 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Part # Aliases: | IPN50R2K0CE SP001461194 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.68 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |