Моя заявка (0)
MOSFET, 14 A, 650 V PG-TDSON-8 IPLK60R600PFD7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973801
Артикул
IPLK60R600PFD7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 323,58 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction дополняет линейку CoolMOS 7 для потребительскиx приложений.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Technology:Si
Package TypePG-TDSON-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSMD
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Thin-PAK-5
Part # Aliases:IPLK60R600PFD7 SP004748882
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8.5 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:45 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Drain Source Voltage650 V
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current14 A
Rds On - Drain-Source Resistance:600 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.517 Ом

Техническая документация