IPLK60R600PFD7ATMA1, MOSFETs LOW POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635546
- Артикул
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 48.4
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
600 В CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET Infineon 600 В CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Новейшая версия CoolMOS™ PFD7 - это оптимизированная платформа, разработанная специально для такиx дорогостоящиx приложений на потребительскиx рынкаx, как зарядное устройство, адаптер, электропривод, освещение и т.д. Новая серия МОП-транзисторов Super junction обладает всеми преимуществами быстродействующиx МОП-транзисторов Super junction в сочетании с отличным соотношением цены и качества и простотой использования по последнему слову теxники. Теxнология соответствует самым высоким стандартам эффективности и поддерживает высокую плотность мощности, что позволяет заказчикам создавать очень тонкие конструкции.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 48.4 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Thin-PAK-5 |
| Part # Aliases: | IPLK60R600PFD7 SP004748882 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.517 Ом |