IPL Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V N TDSON IPLK60R360PFD7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033342247
- Артикул
- IPLK60R360PFD7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 416,52 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction дополняет линейку CoolMOS 7 для потребительскиx приложений.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | ThinPAK-5 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPLK60R360PFD7 SP004854666 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 74 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 360 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |