IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 3А, 26,6Вт, PG-VSON-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007205662
- Артикул
- IPL65R1K5C6SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-VSON-4
- Mounting
- SMD
- Technology
- CoolMOS™
- Вес, г
- 0.13
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPL65R1K5C6SATMA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для SMD-монтажа, обладающий мощностью 26,6 Вт и способный управлять током стока до 3 А. С таким напряжением сток-исток в 650 В, этот N-MOSFET транзистор идеально подходит для различных электронных применений, требующих надежного и эффективного управления мощностью. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 1,5 Ом, что обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях энергии. Компактный корпус PG-VSON-4 гарантирует лёгкую интеграцию в печатные платы. Модель IPL65R1K5C6SATMA1 является надежным решением для вашего проекта. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3 Напряжение сток-исток, В 650 Мощность, Вт 26.6 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1.5 Корпус PG-VSON-4
Технические параметры
| Case | PG-VSON-4 |
| Mounting | SMD |
| Technology | CoolMOS™ |
| Вес, г | 0.13 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | CoolMOS C6 |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Drain current | 3A |
| Kind of channel | enhancement |
| Power dissipation | 26.6W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.5Ω |
| Drain-source voltage | 650V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 18.2 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | ThinPAK-56-8 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Время нарастания | 5.9 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 26.6 W |
| Другие названия товара № | IPL65R1K5C6S SP001163086 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@190uA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 285mΩ@10V, 3.8A |