CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 5-Pin ThinPAK 8 x 8 IPL65R195C7AUMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013798
- Артикул
- IPL65R195C7AUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS™ C7
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 1
- Длина
- 8 mm
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon CoolMOS™ C7 superjunction - это революционный шаг вперед в теxнологии, обеспечивающий самый низкий в мире уровень RDS (on) в упаковке и, благодаря низким потерям при переключении, повышающий эффективность во всем диапазоне нагрузок
Технические параметры
| Series | CoolMOS™ C7 |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 8 mm |
| Серия | CoolMOS C7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | ThinPAK 8x8 |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 8 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 75Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 16 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | VSON-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 195 mΩ |
| Время нарастания | 5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.173Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS C7 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Рассеиваемая Мощность | 75Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Другие названия товара № | IPL65R195C7 SP001032726 |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | VSON |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 173 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 2A-4 недели |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.173Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.173 Ом |