Моя заявка (0)

IPL65R095CFD7AUMA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Surface Mount

IPL65R095CFD7AUMA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016784486
Артикул
IPL65R095CFD7AUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
5
Вес, г
0.6
Channel Type
N Channel
Package Type
ThinPAK 8x8
Цена по запросу
(от 816 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 650V CoolMOS™ CFD7 super junction, выпускаемый в корпусе ThinPAK 8x8, идеально подxодит для резонансныx топологий в промышленныx приложенияx, такиx как серверные, телекоммуникационные, солнечные и зарядные станции, где он позволяет значительно повысить эффективность по сравнению с конкурентами.

Технические параметры

Pin Count5
Вес, г0.6
Channel TypeN Channel
Package TypeThinPAK 8x8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation171Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Квалификация-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Drain Source On State Resistance0.068Ом
Maximum Continuous Drain Current29 A
Линейка ПродукцииCoolMOS CFD7 SJ Series
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока29А
Рассеиваемая Мощность171Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораVSON
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Стандарты Автомобильной Промышленности-
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 2A-4 недели
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.068Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.068 Ом

Техническая документация