IPL65R070C7AUMA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 28А, 169Вт, PG-ВSON-4, CoolMOS™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070092258
- Артикул
- IPL65R070C7AUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™ C7
- Series:
- CoolMOS C7
- Pin Count
- 5
Цена по запросу
(от 1 092,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon CoolMOS™ C7 superjunction - это революционный шаг вперед в теxнологии, обеспечивающий самый низкий в мире уровень RDS (on) в упаковке и, благодаря низким потерям при переключении, повышающий эффективность при полном диапазоне нагрузок.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ C7 |
| Series: | CoolMOS C7 |
| Pin Count | 5 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | ThinPAK 8x8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | VSON-4 |
| Part # Aliases: | IPL65R070C7 SP001032720 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 169 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 92 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |