Моя заявка (0)
IPL60R365P7AUMA1, MOSFET транзистор PG-VSON-4

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070208709
Артикул
IPL60R365P7AUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
600V CoolMOS P7
Pin Count
5
Вес, г
0.9
Серия
CoolMOS P7
Цена по запросу
(от 219,92 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор LOW POWER_NEW

Технические параметры

Series600V CoolMOS P7
Pin Count5
Вес, г0.9
СерияCoolMOS P7
Channel TypeN
Package TypeThinPAK 8x8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation46Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада10 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокVSON-4
Maximum Drain Source Voltage600 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора13 nC
Maximum Drain Source Resistance0.365 Ω
Время нарастания4 ns
Drain Source On State Resistance0.31Ом
Maximum Continuous Drain Current10 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов4вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока10А
Рассеиваемая Мощность46Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Pd - рассеивание мощности46 W
Другие названия товара №IPL60R365P7 SP001606054
Id - непрерывный ток утечки10 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораVSON
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Чувствительный к влажностиYes
Rds Вкл - сопротивление сток-исток310 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения42 ns
Типичное время задержки при включении8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 2A-4 недели
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.31Ом

Техническая документация