IPL60R1K5C6SATMA1, IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002222646
- Артикул
- IPL60R1K5C6SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6 mm
- Серия
- CoolMOS C6
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 581 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
Технические параметры
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6 mm |
| Серия | CoolMOS C6 |
| Channel Type | N |
| Package Type | ThinPAK 5x6 |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 20 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | ThinPAK-56-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 9.4 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ohm |
| Время нарастания | 7 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 26.6 W |
| Другие названия товара № | IPL60R1K5C6S SP001163010 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |