Моя заявка (0)

IPL60R185CFD7AUMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14 A, 0.153 ohm, VSON, Surface Mount

IPL60R185CFD7AUMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14 A, 0.153 ohm, VSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000833538
Артикул
IPL60R185CFD7AUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
600V CoolMOS™ CFD7
Pin Count
5
Вес, г
0.6
Серия
CoolMOS CFD7
Цена по запросу
(от 445 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Series600V CoolMOS™ CFD7
Pin Count5
Вес, г0.6
СерияCoolMOS CFD7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeThinPAK 8x8
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада6 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокVSON-4
Maximum Drain Source Voltage600 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Qg - заряд затвора28 nC
Maximum Drain Source Resistance0.185 Ω
Время нарастания9 ns
Maximum Continuous Drain Current14 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности85 W
Другие названия товара №IPL60R185CFD7 SP001617940
Id - непрерывный ток утечки14 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток153 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения77 ns
Типичное время задержки при включении32 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.153 Ом

Техническая документация