CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8 IPL60R185C7AUMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018771923
- Артикул
- IPL60R185C7AUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | CoolMOS |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | ThinkPAK 8x8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 77Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.185 Ω |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Drain Source On State Resistance | 0.159Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS C7 |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Рассеиваемая Мощность | 77Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | VSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.159Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.159 Ом |