Моя заявка (0)

IPL60R125C7AUMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Surface Mount

IPL60R125C7AUMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000833705
Артикул
IPL60R125C7AUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IPL60R
Pin Count
5
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 776 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPL60R125C7, SP001385066

Технические параметры

SeriesIPL60R
Pin Count5
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeThinPAK 8x8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation103Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Квалификация-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance120 mΩ
Drain Source On State Resistance0.108Ом
Maximum Continuous Drain Current17 A
Линейка ПродукцииCoolMOS C7
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока17А
Рассеиваемая Мощность103Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораVSON
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.108Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.125 Ом

Техническая документация