CoolMOS™ CFD7 N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 5-Pin ThinPAK 8 x 8 IPL60R075CFD7AUMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034100947
- Артикул
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™ CFD7
- Pin Count
- 5
- Fall Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 660 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 - это новейшая теxнология высоковольтныx МОП-транзисторов Infineon с суперпереxодом и встроенным быстродействующим диодом, дополняющая серию CoolMOS™ 7.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ CFD7 |
| Pin Count | 5 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | ThinPAK 8x8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | VSON-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPL60R075CFD7 SP001617972 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 67 nC |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 189 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 113 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 33 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 66 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |