Моя заявка (0)

CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 151 A, 650 V, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8 IPL60R065P7AUMA1

CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 151 A, 650 V, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8 IPL60R065P7AUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024999943
Артикул
IPL60R065P7AUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
MSL
MSL 1-Unlimited
Series
CoolMOS P7
FET Type
N-Channel
Pin Count
5
Цена по запросу
(от 1 261,75 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon 600V Cool MOS P7 super junction (SJ) является преемником МОП-транзисторов серии 600V Cool MOS P6.

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
SeriesCoolMOS P7
FET TypeN-Channel
Pin Count5
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
No. of Pins4Pins
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeThinkPAK 8x8
Mounting TypeSurface Mount
Product RangeCoolMOS P7
Package / Case4-PowerTSFN
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 800µA
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature-40°C ~ 150°C(TJ)
Transistor Case StyleVSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 15.9A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)201W(Tc)
Supplier Device PackagePG-VSON-4
Drain Source Voltage Vds600V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id41A
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage650 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Maximum Gate Threshold Voltage30V
Maximum Drain Source Resistance0.065 O
Maximum Continuous Drain Current151 A
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2895 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А151
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация