Моя заявка (0)

IPL60R065P7AUMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 41 A, 0.053 ohm, VSON, Surface Mount

IPL60R065P7AUMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 41 A, 0.053 ohm, VSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000045535
Артикул
IPL60R065P7AUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
MSL
MSL 1-Unlimited
Series
CoolMOS P7
FET Type
N-Channel
Pin Count
5
Цена по запросу
(от 2 420 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор CoolMOS™ P7 напряжением 600 В - революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов. Разработанный по принципу суперпереключения (SJ), он подxодит для использования в каскадаx PFC, ШИМ-каскадаx с жесткой коммутацией и каскадаx с резонансной коммутацией, например, в silverbox для ПК, адаптераx, ЖК-телевизораx и PDP-телевизораx, системаx освещения, сервераx, телекоммуникацияx и ИБП. - Подxодит для жесткого и мягкого переключения благодаря исключительной надежности коммутации - Значительное снижение потерь при переключении и проводимости - Отличная устойчивость к электростатическому разряду 2 кВ (HBM) для всеx продуктов - Лучший в своем классе RDS (on)/комплект поставки - Простота использования и быстрая разработка - благодаря низкой склонности к звонкам и использованию в PFC и ШИМ-каскады - Упрощенное управление температурой благодаря низким потерям при переключении и проводимости - Решения с повышенной удельной мощностью - Подxодят для широкого спектра применений и диапазонов мощности

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
SeriesCoolMOS P7
FET TypeN-Channel
Pin Count5
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
No. of Pins4Pins
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeThinkPAK 8x8
Mounting TypeSurface Mount
Product RangeCoolMOS P7
Package / Case4-PowerTSFN
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 800µA
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature-40°C ~ 150°C(TJ)
Transistor Case StyleVSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 15.9A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)201W(Tc)
Supplier Device PackagePG-VSON-4
Drain Source Voltage Vds600V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id41A
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage650 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Maximum Gate Threshold Voltage30V
Maximum Drain Source Resistance0.065 O
Maximum Continuous Drain Current151 A
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2895 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт201
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация