Моя заявка (0)

OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S4L07AKSA2

OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S4L07AKSA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014553527
Артикул
IPI80N06S4L07AKSA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS-T2
Series:
IPI80N06
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Новая линейка OptiMOS -T2 от Infineon включает в себя ряд энергоэффективныx MOSFET-транзисторов с уменьшением выбросов CO2 и электроприводов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS-T2
Series:IPI80N06
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeI2PAK(TO-262)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-262-3
Part # Aliases:IPI80N06S4L-07 SP001028678
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:75 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:79 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Id - Continuous Drain Current:80 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0067 O
Maximum Continuous Drain Current80 A
Rds On - Drain-Source Resistance:11.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация