OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S407AKSA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553525
- Артикул
- IPI80N06S407AKSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO262-3
- Series
- OptiMOS-T2
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новая линейка OptiMOS -T2 от Infineon включает в себя ряд энергоэффективныx MOSFET-транзисторов с уменьшением выбросов CO2 и электроприводов.
Технические параметры
| Case | PG-TO262-3 |
| Series | OptiMOS-T2 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | OptiMOS®-T2 |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 27nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | I2PAK(TO-262) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 58A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 79W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 7.4mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 320A |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0074 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |