Моя заявка (0)

IPI60R125CPXKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

IPI60R125CPXKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8047961464
Артикул
IPI60R125CPXKSA1
Бренд
International Rectifier
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
Packaging
Tube
Цена по запросу
(от 720 ₽)
Минимальный заказ: 130 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 600V 25A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) на трубке TO-262

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusNRND
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width4.4 mm
Package Length10 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-262
Process TechnologyCoolMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)5
Typical Rise Time (ns)5
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)208000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)53
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)53@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)15
Maximum Drain-Source Voltage (V)600
Typical Turn-Off Delay Time (ns)50
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)25
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2500@100V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)125@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация