Моя заявка (0)

IPI147N12N3GAKSA1, Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

IPI147N12N3GAKSA1, Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293277
Артикул
IPI147N12N3GAKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 291 ₽)
Минимальный заказ: 261 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 120V 56A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) на трубке TO-262

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveUnknown
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width4.57(Max)
Package Length10.36(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-262
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)4
Typical Rise Time (ns)9
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)107000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)37
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)37@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)16
Maximum Drain-Source Voltage (V)120
Typical Turn-Off Delay Time (ns)24
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)56
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2420@60V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)14.7@10V
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)12.3@10V|12.6@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А56
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация