Моя заявка (0)
IPI120N04S4-02, MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006217902
Артикул
IPI120N04S4-02
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tube
Вес, г
3
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 375 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tube
Вес, г3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-262-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:SP000764742 IPI12N4S42XK IPI120N04S402AKSA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:134 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:158 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация