Моя заявка (0)

IPI110N20N3GAKSA1, Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

IPI110N20N3GAKSA1, Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000994317
Артикул
IPI110N20N3GAKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 1 180 ₽)
Минимальный заказ: 70 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 200V 88A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) на трубке TO-262

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width4.57(Max)
Package Length10.36(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-262
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)11
Typical Rise Time (ns)26
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)300000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)65
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)65@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)18
Maximum Drain-Source Voltage (V)200
Typical Turn-Off Delay Time (ns)41
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)88
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)5340@100V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)11@10V
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)9.9@10V|9.6@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А88
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация