Моя заявка (0)

IPI086N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3

IPI086N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070060594
Артикул
IPI086N10N3GXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.572mm
Series
OptiMOS 3
Pin Count
3
Вес, г
1.53
Цена по запросу
(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPI086N10N3GXKSA1 от известного производителя INFINEON – надежный компонент для силовой электроники. Оснащенный корпусом PG-TO262-3 для монтажа THT, он обеспечивает эффективную работу в схемах с током стока до 80 А и напряжением сток-исток 100 В. Мощность данного N-MOSFET транзистора составляет 125 Вт, что позволяет использовать его в высокопроизводительных применениях. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,0086 Ом свидетельствует о высокой эффективности и минимальных потерях при работе устройства. Используя транзистор с кодом IPI086N10N3GXKSA1 в своих разработках, вы гарантированно получите стабильность и долговечность электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 80 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 125 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0086 Корпус PG-TO262-3

Технические параметры

Width4.572mm
SeriesOptiMOS 3
Pin Count3
Вес, г1.53
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeI2PAK(TO-262)
Mounting TypeThrough Hole
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation125 W
Typical Gate Charge @ Vgs42 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance15.4 mΩ
Maximum Continuous Drain Current80 A

Техническая документация