IPI076N12N3GAKSA1, Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293207
- Артикул
- IPI076N12N3GAKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 425 ₽)
Минимальный заказ: 33 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH 120V 100A Автомобильный 3-контактный (3 + язычка) разъем TO-262
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Unknown |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-262 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 50 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 188000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 76 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 76@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 24 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 120 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 39 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 100 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4990@60V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.6@10V |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 400 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |