IPI029N06NAKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 100А, 136Вт, PG-TO262-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070147213
- Артикул
- IPI029N06NAKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- OptiMOS 3 Power-Transistor
- Вес, г
- 0.5
- Длина
- 10.2 mm
- Серия
- OptiMOS 5
Цена по запросу
(от 295 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 60V 100A I2PAK-3
Технические параметры
| Тип | OptiMOS 3 Power-Transistor |
| Вес, г | 0.5 |
| Длина | 10.2 mm |
| Серия | OptiMOS 5 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TDSON |
| Высота | 9.45 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Mounting Type | SMD |
| Продукт | OptiMOS Power |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 8 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 66 nC |
| Время нарастания | 15 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 136 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 136 W |
| Другие названия товара № | IPI029N06N IPI29N6NXK SP000962134 |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S |