Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 136 A, 60 V PG-TDSON IPI029N06NAKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973799
Артикул
IPI029N06NAKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Тип
OptiMOS 3 Power-Transistor
Вес, г
1
Длина
10.2 mm
Серия
OptiMOS 5
Цена по запросу
(от 580,81 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS оптимизирован для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания, такиx как серверы, настольные компьютеры и зарядные устройства для планшетов.

Технические параметры

ТипOptiMOS 3 Power-Transistor
Вес, г1
Длина10.2 mm
СерияOptiMOS 5
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON
Высота9.45 mm
Ширина4.5 mm
Mounting TypeSMD
ПродуктOptiMOS Power
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада8 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-262-3
Maximum Drain Source Voltage60 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора66 nC
Время нарастания15 ns
Maximum Continuous Drain Current136 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности136 W
Другие названия товара №IPI029N06N IPI29N6NXK SP000962134
Id - непрерывный ток утечки100 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения30 ns
Типичное время задержки при включении17 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А136
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.80 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0027 Ом

Техническая документация