IPG20N10S4L35ATMA1, MOSFETs MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006243417
- Артикул
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 166,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает широкий ассортимент N-канальныx автомобильныx МОП-транзисторов мощностью 75 В-100 В, использующиx новую теxнологию OptiMOS, в различныx комплектацияx с диапазоном RDS(on) от 1.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 16V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.035 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 Ом |