Моя заявка (0)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N10S436AATMA1

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N10S436AATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063764191
Артикул
IPG20N10S436AATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4 ns
Rise Time:
3 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении. Эти модули доступны в широком ассортименте упаковок, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы Infineon идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPG20N10S4-36A SP001102930
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.4 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:43 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:3 ns
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:31 mOhms, 31 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.7 V

Техническая документация