IPG20N06S4L26ATMA1, Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8478181644
- Артикул
- IPG20N06S4L26ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS-T2
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 10 ns, 10 ns
Цена по запросу
(от 236 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon OptiMOS - это силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности. Рабочий канал - N. Он соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS-T2 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 10 ns, 10 ns |
| Rise Time: | 1.5 ns, 1.5 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPG20N06S4L-26 SP000705588 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 33 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns, 5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns, 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms, 21 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@10uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 26mΩ@17A, 10V |