IPG20N06S4L11ATMA2, MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018640672
- Артикул
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PG-TDSON
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 208,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной силовой транзистор Infineon OptiMOS-T2 super S08 может заменить несколько DPAK, что значительно экономит площадь печатной платы и снижает затраты на системном уровне.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-TDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Power Dissipation N Channel | 65Вт |
| Power Dissipation P Channel | 65Вт |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS-T2 Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0095Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0095Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 20А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 20А |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 60В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |