Моя заявка (0)

IPG20N06S4L11ATMA2, Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm

IPG20N06S4L11ATMA2, Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008637122
Артикул
IPG20N06S4L11ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2
Channel Type
N Channel
Package Type
PG-TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 296 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двойной силовой транзистор Infineon OptiMOS-T2 super S08 может заменить несколько DPAK, что значительно экономит площадь печатной платы и снижает затраты на системном уровне.

Технические параметры

Вес, г2
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TDSON
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенностиполевая сборка
КвалификацияAEC-Q101
Power Dissipation N Channel65Вт
Power Dissipation P Channel65Вт
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Continuous Drain Current20 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-T2 Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Drain Source On State Resistance N Channel0.0095Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.0095Ом
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Непрерывный Ток Стока, N Канал20А
Непрерывный Ток Стока, P Канал20А
Максимальная Рабочая Температура175°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал60В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал60В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0095 Ом

Техническая документация