Моя заявка (0)

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 Dual InfIneon IPG20N06S4L11AATMA1

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 Dual InfIneon IPG20N06S4L11AATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074094733
Артикул
IPG20N06S4L11AATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS-T2
Series:
OptiMOS-T2
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 193,53 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Новая линейка OptiMOS -T2 от Infineon включает в себя ряд энергоэффективныx MOSFET-транзисторов с уменьшением выбросов CO2 и электроприводов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS-T2
Series:OptiMOS-T2
Pin Count8
Fall Time:19 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:3 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г0.1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6 Dual
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:IPG20N06S4L-11A SP001200162
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:53 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:65 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:58 ns
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0112 O
Maximum Continuous Drain Current20 A
Rds On - Drain-Source Resistance:15.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация