IPG20N06S415ATMA2, MOSFETs MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070191820
- Артикул
- IPG20N06S415ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 5.9 mm
- Серия
- IPG20N06
- Высота
- 1.27 mm
Цена по запросу
(от 190,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 5.9 mm |
| Серия | IPG20N06 |
| Высота | 1.27 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Другие названия товара № | IPG20N06S4-15 SP001028634 |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |