Моя заявка (0)

IPG20N06S2L65ATMA1, 55V 20A 43W 65mOhm@15A,10V 2 N-Channel TDSON-8-4 MOSFETs

IPG20N06S2L65ATMA1, 55V 20A 43W 65mOhm@15A,10V 2 N-Channel TDSON-8-4 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062029885
Артикул
IPG20N06S2L65ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Grade
Automotive
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.36
FET Feature
Logic Level Gate
Цена по запросу
(от 160,65 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Матрица Mosfet 55V 20A 43 Вт для поверxностного монтажа PG-TDSON-8-4

Технические параметры

GradeAutomotive
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.36
FET FeatureLogic Level Gate
Power - Max43W
Configuration2 N-Channel(Dual)
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 14µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)43W
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-4
Total Gate Charge (Qg@Vgs)12nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)410pF@25V
Continuous Drain Current (Id)20A
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)50pF@25V

Техническая документация