IPG20N06S2L65ATMA1, Trans MOSFET N-CH 55V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001054197
- Артикул
- IPG20N06S2L65ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Grade
- Automotive
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
- FET Feature
- Logic Level Gate
Цена по запросу
(от 211 ₽)
Минимальный заказ: 95 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Mosfet 55V 20A 43 Вт для поверxностного монтажа PG-TDSON-8-4
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 43W |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 43W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15A, 10V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12nC@10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 410pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 50pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |