OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L65AATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017332912
- Артикул
- IPG20N06S2L65AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 240,96 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной N-канальный МОП-транзистор серии Infineon OptiMOS имеет напряжение между стоком и источником 55 В. Его преимущества заключаются в том, что для соединения проводов в рамку с выводом источника увеличен диаметр провода, а длина соединительного провода составляет 200 мкм и обеспечивает ток до 20 А.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™ |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.065 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |