IPG20N06S2L50ATMA1, Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.039 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8859734404
- Артикул
- IPG20N06S2L50ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Tradename:
- OptiMOS
- Вес, г
- 0.5
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 238 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPG20N06S2L-50, SP000613728
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | IPG2N6S2L5XT SP000613728 IPG20N06S2L50ATMA1 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 51 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Power Dissipation N Channel | 51Вт |
| Power Dissipation P Channel | 51Вт |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 51Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.039Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.039Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 20А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 20А |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 55В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 55В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.039Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.039 Ом |