N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V PG-TDSON-8-10 IPG20N06S2L35AATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033001622
- Артикул
- IPG20N06S2L35AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Tradename:
- OptiMOS
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS is dual Super S08 может заменить несколько DPAK, что обеспечивает значительную экономию площади печатной платы и снижение затрат на системном уровне.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TDSON-8-10 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | IPG20N06S2L-35A SP001023838 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.028 Ом |