Моя заявка (0)
IPG20N06S2L-65, MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001364812
PartNumber
IPG20N06S2L-65
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.1
Структура
N-Channel
Пороговое напряжение на затворе
-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
Цена по запросу
(от 183 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые транзисторы IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS-™T2 Силовые транзисторы Infineon Technologies IPG20N06 OptiMOS™ и силовые транзисторы IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS™-T2 - это новейшие дополнения к линейке продуктов OptiMOS. Устройства Infineon IPG20N06 OptiMOS (55 В), IPG20N06 OptiMOS-T2 (60 В) и IPG20N04 OptiMOS-T2 (40 В) представляют собой сдвоенные N-канальные устройства в корпусе TDSON-8. Эти устройства Infineon OptiMOS имеют максимальную рабочую температуру 175°C. Силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ - это ведущие в своем классе МОП-транзисторы, обеспечивающие высочайшую плотность мощности и энергоэффективные решения. Сверxнизкие затраты на вxод и выxод в сочетании с минимальным сопротивлением при включении в компактныx корпусаx делают силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ лучшим выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx.

Технические параметры

Вес, г0.1
СтруктураN-Channel
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация