IPG20N04S4L11AATMA1,Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003768877
- Артикул
- IPG20N04S4L11AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 20 nC
- V(DS)
- 40 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 41 W
Цена по запросу
(от 211 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.
Технические параметры
| Q(g) | 20 nC |
| V(DS) | 40 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 41 W |
| Package | TDSON-8 |
| R(thJC) | 3.7 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 2 ns |
| Technology | OptiMOS |
| Вес, г | 1.43 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | DUAL N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 10.1 mOhm |
| Configuration: | Dual |
| Fast bodydiode | YES |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 20 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPG20N04S4L-11A SP001023836 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 41 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0101 Ом |