OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N04S4L08AATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017332879
- Артикул
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™-T2
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новая линейка OptiMOS -T2 от Infineon включает в себя ряд энергоэффективныx MOSFET-транзисторов с уменьшением выбросов CO2 и электроприводов.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™-T2 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0082 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |