IPG20N04S412ATMA1,Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8911668411
- Артикул
- IPG20N04S412ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 40V 20A Автомобильный AEC-Q101 8-контактный TDSON EP T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.171 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Typical Fall Time (ns) | 8 |
| Typical Rise Time (ns) | 2 |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 41000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 20 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1130@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 12.2@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 412 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0111 Ом |