IPG20N04S412AATMA1, Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003768876
- Артикул
- IPG20N04S412AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 14 nC
- V(DS)
- 40 V
- P(tot)
- 41 W
- Series
- IPG
Цена по запросу
(от 238 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPG20N04S4-12A, SP000938098
Технические параметры
| Q(g) | 14 nC |
| V(DS) | 40 V |
| P(tot) | 41 W |
| Series | IPG |
| Package | TDSON-8 |
| R(thJC) | 3.7 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | OptiMOS |
| Вес, г | 1.43 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 Dual |
| Configuration | DUAL N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 12.2 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 20 A |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.01219 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 41Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.011Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 412 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом |