IPG20N04S408ATMA1,Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8230858841
- Артикул
- IPG20N04S408ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- Unknown
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 304 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 40V 20A Автомобильный AEC-Q101 8-контактный TDSON EP T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.389 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Package Width | 5.9 mm |
| Package Length | 5.15 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 5 |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 65000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 28 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 28@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2260@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 7.6@10V |
| Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 7@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 408 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 Ом |