Моя заявка (0)

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 Dual InfIneon IPG20N04S408AATMA1

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 Dual InfIneon IPG20N04S408AATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063803949
Артикул
IPG20N04S408AATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IPG20
Pin Count
8
Вес, г
1
Длина
5.9 mm
Цена по запросу
(от 298,18 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор

Технические параметры

SeriesIPG20
Pin Count8
Вес, г1
Длина5.9 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6 Dual
Высота1.27 mm
Ширина5.15 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip2
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTDSON-8
Maximum Drain Source Voltage40 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора36 nC
Maximum Drain Source Resistance0.0076 Ω
Maximum Continuous Drain Current20 A
Линейка ПродукцииOptiMOS T2
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов2 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока20А
Рассеиваемая Мощность65Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности65 W
Другие названия товара №IPG20N04S4-08A SP000938100
Id - непрерывный ток утечки20 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Размер фабричной упаковки5000
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.007Ом

Техническая документация