OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N04S408AATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014558095
- Артикул
- IPG20N04S408AATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPG20
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Длина
- 5.9 mm
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный N-канальный МОП-транзистор Infineon 20 В-40 В. Открытая подложка обеспечивает отличную теплопередачу (зависит от размера матрицы).
Технические параметры
| Series | IPG20 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 5.9 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 Dual |
| Высота | 1.27 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | полевая сборка |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0076 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 65Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Другие названия товара № | IPG20N04S4-08A SP000938100 |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.007Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |