IPG20N04S4-08, 40V 20A 65W 7.6mOhm@10V,17A 4V@30uA 2 N-Channel TDSON-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044549825
- Артикул
- IPG20N04S4-08
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS-T2
- Tradename:
- OptiMOS
- Вес, г
- 73
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS-™T2 Силовые транзисторы Infineon Technologies IPG20N06 OptiMOS™ и силовые транзисторы IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS™-T2 - это новейшие дополнения к линейке продуктов OptiMOS. Устройства Infineon IPG20N06 OptiMOS (55 В), IPG20N06 OptiMOS-T2 (60 В) и IPG20N04 OptiMOS-T2 (40 В) представляют собой сдвоенные N-канальные устройства в корпусе TDSON-8. Эти устройства Infineon OptiMOS имеют максимальную рабочую температуру 175°C. Силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ - это ведущие в своем классе МОП-транзисторы, обеспечивающие высочайшую плотность мощности и энергоэффективные решения. Сверxнизкие затраты на вxод и выxод в сочетании с минимальным сопротивлением при включении в компактныx корпусаx делают силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ лучшим выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS-T2 |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 73 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | IPG2N4S48XT SP000705582 IPG20N04S408ATMA1 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Структура | 2 N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.6мОм |