Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET Transistor, 16 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPG16N10S461ATMA1

N-Channel MOSFET Transistor, 16 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPG16N10S461ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033014222
Артикул
IPG16N10S461ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
1
Длина
5.9 mm
Серия
IPG16N10
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В Infineon установлен двуxканальный MOSFET нормального логического уровня, соответствующий стандарту AEC Q101 и прошедший 100%-ное лавинное тестирование.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Длина5.9 mm
СерияIPG16N10
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Высота1.27 mm
Ширина5.15 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5 ns, 5 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTDSON-8
Maximum Drain Source Voltage100 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 N-Channel
Qg - заряд затвора7 nC, 7 nC
Время нарастания1 ns, 1 ns
Maximum Continuous Drain Current16 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности29 W
Другие названия товара №IPG16N10S4-61 IPG16N1S461XT SP000892972
Id - непрерывный ток утечки16 A
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток53 mOhms, 53 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения5 ns, 5 ns
Типичное время задержки при включении3 ns, 3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.053 Ом

Техническая документация