IPG16N10S4-61, MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017669843
- Артикул
- IPG16N10S4-61
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- XPG16N10
- Fall Time:
- 5 ns, 5 ns
- Rise Time:
- 1 ns, 1 ns
Цена по запросу
(от 231 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы напряжением от 75 В до 100 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | XPG16N10 |
| Fall Time: | 5 ns, 5 ns |
| Rise Time: | 1 ns, 1 ns |
| Вес, г | 0.26 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | IPG16N1S461XT SP000892972 IPG16N10S461ATMA1 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 29W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 29 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns, 3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 490pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5 ns, 5 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 53 mOhms, 53 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@9uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 29 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 61mΩ@16A, 10V |